Q8

DRAM超頻


預設電阻是14.8K和46.8K,電壓輸出:2.5V


第1組測試登場,電阻120K搭配442K,電壓輸出:0.6 * (1 + (442K / 120K)) = 2.81V


實際測得電壓2.78V,F1C100S溫度正常,DRAM可以超頻到252MHz,可以開機進入系統


第2組測試登場,電阻120K搭配464K,電壓輸出:0.6 * (1 + (464K / 120K)) = 2.92V


實際測得電壓2.89V,F1C100S溫度正常,DRAM已經開始不穩定,即使降頻到240MHz,依然不穩定


第3組測試登場,電阻105K搭配442K,電壓輸出:0.6 * (1 + (442K / 105K)) = 3.13V


實際測得電壓3.12V,F1C100S溫度正常,DRAM已經無法工作


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